據(jù)優(yōu)睿譜總經(jīng)理唐德明博士介紹，優(yōu)睿譜本次推出的SICE200設備具有以下技術(shù)特點：

• 兼容6&8寸SiC&Si襯底和外延晶圓邊緣檢測，也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測

• 可同時實現(xiàn)對晶圓360°檢測（晶圓正面、背面及邊緣的缺陷檢測）

• 可同時實現(xiàn)對晶圓倒角和直徑精確測量（可選）

• 自主知識產(chǎn)權(quán)的光機系統(tǒng)可實現(xiàn)高分辨率、高檢出率及高檢測速率

• 晶圓厚度、TTV/Warp/Bow等參數(shù)測量（可選）

唐德明博士表示，在整機軟件和缺陷檢測算法層面，SICE200具備以下技術(shù)優(yōu)勢：

• 圖像增強技術(shù)：凸顯邊緣崩邊、裂紋，表面劃傷，污漬等缺陷特征

• 豐富的條件組合判斷參數(shù)化檢測工具: 多種高精度的檢測算法工具，具備高度的自適應能力，能夠準確判斷和識別缺陷類別，并準確分類

• 晶圓倒角和直徑測量技術(shù)：對邊緣輪廓、晶圓直徑精確測量、擬合、計算其倒角和直徑尺寸功能模塊化：檢測軟件功能模塊化，可快速配置檢測程式（Recipe），滿足客戶個性化的檢測需求（可選）

• 缺陷小圖：數(shù)據(jù)留存，方便缺陷復查（Defect Review）

SICE檢測的典型的特征缺陷及倒角測量

此前，優(yōu)睿譜已陸續(xù)推出國內(nèi)首發(fā)半導體專用FTIR(傅立葉變換紅外光譜)測量設備系列（部分型號目前已獲得海外客戶訂單）：

• 適用于硅基外延層膜厚測量設備Eos200/Eos300

• 適用于硅基元素濃度（B/P/F）測量設備Eos200+/Eos300+

• 通過優(yōu)化的硬件設計（更新的紅外光譜儀技術(shù)）配合自主開發(fā)的算法實現(xiàn)對碳化硅外延層膜厚及外延緩沖層膜厚測量設備Eos200L

• 通過優(yōu)化的硬件設計（更新的紅外光譜儀技術(shù)）配合自主開發(fā)的Global Fitting Algo. ?算法技術(shù)實現(xiàn)碳化硅多層（≥3層）外延膜厚測量設備Eos200L+

• 硅材料中C/O含量測量設備Eos200T

優(yōu)睿譜SICV200晶圓電阻率量測設備，實現(xiàn)了完全對標國外供應商測試性能及設備供應鏈的國產(chǎn)化目標。同時，針對碳化硅外延晶圓CV測量后有金屬殘留及壓痕的行業(yè)痛點做了針對性創(chuàng)新開發(fā)，成功解決該行業(yè)痛點，目前已得到多家客戶的訂單。

優(yōu)睿譜針對碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測設備SICD200，實現(xiàn)了碳化硅位錯檢測的整片晶圓全檢測，該設備已獲得境外客戶訂單。

優(yōu)睿譜Eos200DSR設備，實現(xiàn)了SOI晶圓重摻頂層硅厚度測量。同時，可用于硅基鈮酸鋰厚度、晶圓背封LTO厚度及光刻膠厚度測量。

優(yōu)睿譜成立于2021年，由長期從事于半導體行業(yè)的海歸博士領(lǐng)銜，協(xié)同國內(nèi)資深的半導體前道制程量測設備技術(shù)團隊共同發(fā)起成立，致力于打造高品質(zhì)的半導體前道量測設備。