大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，應(yīng)用材料公司宣布推出全新布線技術(shù)，旨在通過使銅布線微縮到2nm及以下的邏輯節(jié)點(diǎn)，來提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的每瓦性能。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)群總裁帕布?若杰（Prabu Raja）博士表示：“AI 時(shí)代需要更節(jié)能的運(yùn)算，其中芯片布線和堆疊對(duì)于效能和能耗至關(guān)重要。應(yīng)材最新的整合性材料解決方案使業(yè)界能將低電阻銅布線微縮到新興的埃米節(jié)點(diǎn)，同時(shí)我們最先進(jìn)的低介電常數(shù)材料降低了電容效應(yīng)并強(qiáng)化芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，將3D 堆疊提升到全新高度?！?/p>

近年來，應(yīng)用材料公司的 Black Diamond? 材料一直處于行業(yè)領(lǐng)先地位，其銅線周圍采用低介電常數(shù)（或“k 值”）薄膜，旨在減少電荷的積聚，從而增加功耗并導(dǎo)致電信號(hào)之間的干擾?，F(xiàn)在，應(yīng)用材料公司推出了這一材料的增強(qiáng)版，這是該公司 Producer? Black Diamond? PECVD 系列的最新產(chǎn)品。這種新材料降低了最小k值，以實(shí)現(xiàn)2nm及以下的微縮，同時(shí)提供更高的機(jī)械強(qiáng)度。隨著芯片制造商和系統(tǒng)公司將3D邏輯和內(nèi)存堆疊提升到新的高度，這將變得至關(guān)重要。

此外，應(yīng)用材料公司還推出了其最新的IMS?（集成材料解決方案），在一個(gè)高真空系統(tǒng)中結(jié)合了六種不同的技術(shù)，包括業(yè)界首創(chuàng)的材料組合，讓芯片制造商將銅布線微縮到2nm及以下節(jié)點(diǎn)。該解決方案是釕和鈷 （RuCo） 的二元金屬組合，可同時(shí)將襯墊厚度減少33%至2nm，為無空隙銅回流焊產(chǎn)生更好的表面性能，并將線路電阻降低多達(dá)25%，以提高芯片性能和功耗。