NSR-S636E ArF浸沒式光刻機

12月6日，日本尼康公司官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布推出NSR-S636E ArF浸沒式光刻機。NSR-S636E是尼康歷史上所有光刻系統(tǒng)中生產(chǎn)率最高的產(chǎn)品，是一款用于關(guān)鍵層的浸沒式光刻機，可提供卓越的覆蓋精度和超高吞吐量。NSR-S636E是尖端半導(dǎo)體（包括3D器件）中使用的許多不同結(jié)構(gòu)的最佳圖形化解決方案。該型號產(chǎn)品將于明年2月正式發(fā)售。

開發(fā)背景

隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導(dǎo)體變得越來越重要。電路圖案小型化和 3D 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)是技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵推動因素，而 ArF 浸沒式光刻機對于這兩種制造工藝都至關(guān)重要。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，晶圓翹曲和失真在3D半導(dǎo)體制造過程中更容易發(fā)生，因此需要比以往任何時候都更先進的光刻機校正和補償功能。

NSR-S636E ArF浸入式掃描器采用增強型iAS（inline Alignment Station的縮寫。該系統(tǒng)可以高速、高精度地測量晶圓，并在不降低曝光系統(tǒng)吞吐量的情況下實現(xiàn)網(wǎng)格誤差校正）在曝光前執(zhí)行復(fù)雜的晶圓多點測量。這種創(chuàng)新系統(tǒng)使用高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能，提供更高水平的覆蓋精度，同時保持最大的光刻機吞吐量。與當前一代系統(tǒng)相比，該光刻機的整體輸出也高出 10-15%（這可能因使用條件和其他因素而異），從而優(yōu)化了尖端半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的效率。尼康將繼續(xù)提供NSR-S636E等寶貴的解決方案，以引領(lǐng)IC生產(chǎn)并支持數(shù)字社會的發(fā)展。

主要優(yōu)點

在各種生產(chǎn)工藝中都具有出色的性能，包括容易發(fā)生晶圓變形的 3D-IC

在曝光前執(zhí)行晶圓多點測量的 iAS（inline Alignment Station） 的精度更高，可以提高測量晶圓翹曲和變形等變形的精度。先進的測量和補償功能可提高過程的穩(wěn)健性，并提供卓越的覆蓋性能，而不會影響生產(chǎn)率。這些創(chuàng)新對于各種制造工藝來說是非常寶貴的，包括需要超高堆疊精度的3D-IC，并將繼續(xù)開發(fā)以實現(xiàn)前所未有的半導(dǎo)體性能。

在所有尼康半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)中生產(chǎn)率最高

NSR-S636E ArF浸沒式光刻機通過全面提高吞吐量和優(yōu)化日常生產(chǎn)力，與現(xiàn)有型號相比，將整體產(chǎn)量提高了10-15%。這是尼康半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)整個歷史上最高的生產(chǎn)力水平。尼康致力于通過NSR-S636E等行業(yè)領(lǐng)先的解決方案繼續(xù)突破光刻的極限，以支持客戶在未來許多年的制造目標。

性能概覽

MMO（混合搭配疊加）：相同型號的機器之間的疊加精度（例如 S636E #1 至 S636E #2）